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我國納米光刻技術研究取得突破

发布时间:2019-06-07 13:45:57

  日前,中科院光电技术研究所微光刻技术与微光学实验室首次提出基于微结构边际的LSP超分辨光刻技术。该技术利用微纳结构边际作为掩模图形,对表面等离子体进行有效激发,其采用普通I-line、G-line光源获得了特征尺寸小于30纳米的超分辨光刻图形。

  据相关负责人介绍,传统的微光刻工艺采用尽可能短的曝光波长,期望获得百纳米甚至几十纳米级别的光刻分辨率。然而,随着曝光波长的缩短,整个光刻装备的成本也急剧上升。以目前主流的193光刻机为例,其售价为几千万美元。如此高昂的成本严重限制了短波长光源光刻技术的应用。

  近年來,表面等離子體光學的提出為微光刻技術的發展提供了新的選擇。利用表面等離子體波的短波長,通過合理的設計掩模圖形和工藝參數,超分辨的納米光刻技術有望形成。

  在此背景下,该所研究员提出了基于微结构边际的LSP超分辨光刻技术。理论研究表明,该技术可获得特征尺寸小于1/10曝光波长的纳米结构,并利用365纳米光源从实验上获得了超越衍射极限的光刻分辨率。这将为我国正在迅猛发展的信息产业技术及纳米科技提供坚实的加工制备基础。

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